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論文

Microstructures of type 316 model alloys neutron-irradiated at 513 K to 1 dpa

三輪 幸夫; 塚田 隆; 辻 宏和; 中島 甫

Journal of Nuclear Materials, 271-272, p.316 - 320, 1999/00

 被引用回数:5 パーセンタイル:40.62(Materials Science, Multidisciplinary)

照射誘起応力腐食割れ(IASCC)の発生機構を解明する目的で、IASCC感受性に影響を及ぼす照射誘起マイクロストラクチャーや照射誘起偏析のうち、照射誘起マイクロストラクチャーに及ぼす添加元素の効果を調べた。供試材はSUS316系の高純度合金と、それに炭素、チタン、シリコン、リン、硫黄を単独又は複合して添加した合金の溶体化処理材である。これらをJRR-3で、514Kにて約1dpaまで中性子照射した後、透過型電子顕微鏡でマイクロストラクチャーの観察を行った。その結果、Moの添加によりフランクループの数密度と平均直径が低下した。また、炭素の添加により、フランクループの数密度が増大し、平均直径が低下した。Siの添加は、Moの添加と同様にフランクループの数密度及び平均直径の低下を起こした。他の元素、チタン、リン、硫黄の影響は、C及びSiの影響に隠された。

論文

Neutral deuterium and helium behavior in JT-60U divertor plasmas

竹永 秀信; 久保 博孝; 杉江 達夫; 朝倉 伸幸; 逆井 章; 黒田 成一*; 内野 喜一郎*; 村岡 克紀*

Proc. of 1996 Int. Conf. on Plasma Physics, Vol.1, p.642 - 645, 1997/00

ダイバータでの水素原子およびヘリウム原子の挙動を明らかにするために、D$$alpha$$およびHeIのスペクトル測定、強度分布測定結果を、モンテカルロシミュレーションコードを用いて解析した。D$$alpha$$スペクトルは、測定、シミュレーションともに荷電交換反応でできた高エネルギー原子と水素分子の解離によってできたフランク=コンドンエネルギー程度の低エネルギーを持った原子に対応する成分から構成されている。しかしながら、シミュレーションでは、低エネルギー成分のピーク値のずれが測定よりも大きくなっており、これを一致させるには、フランク=コンドンエネルギーよりさらに低いエネルギーを持つ原子の寄与を考慮する必要がある。HeIスペクトルの拡がりは分光器の分解能程度であり、ヘリウム原子のエネルギーが低いことを示した。また、強度分布測定から、ダイバータでの水素原子密度とヘリウム原子密度の比を評価した。

論文

The Behavior of irradiation-produced dislocation loops under external stress during electron irradiation

實川 資朗; 片野 吉男; 白石 健介*; F.A.Garner*

Effects of Radiation on Materials, p.1034 - 1050, 1992/00

超高圧電子顕微鏡でニッケル試料の組織変化に観察し、同時に照射を行った。試料に力を加えると照射で生じた転位ループの積層欠陥が解消反応した。従来、転位ループが大きい程、解消反応が生じやすいとされていたが、今回の結果は解消反応が生じやすい大きさには上限もあることを示した。これは、転位ループのセグメント間に働く反発力が解消反応を助長しているためと推測した。また、転位ループの成長速度と大きさの関係から、転位ループのバイアスファクターが転位ループの大きさに対して正の依存性を持つことを見出した。これは、従来の理論モデルに合っていない。この理由も、転位セグメント間の反発力の効果によると推定した。

論文

Effect of external stress on the microstructural change during electron-irradiation in nickel

實川 資朗; 片野 吉男; 白石 健介

Journal of Nuclear Science and Technology, 21(9), p.671 - 677, 1984/00

 被引用回数:14 パーセンタイル:79.2(Nuclear Science & Technology)

照射下に於けるミクロ組織の変化に対する外力の効果を調べるために、超高圧電子顕微鏡を用いて電子線照射下の純ニッケル中のミクロ組織変化を試料引張ステージを用いて、その場観察してみた。照射温度は723K,電子線束は1$$times$$10$$^{2}$$$$^{3}$$e/m$$^{2}$$sとした。外力が加わっている試料では、照射により生じたフランク・ループが、10nm程度にまで成長するとUnfaultすることが観察された。外力を加えていない試料中に発生したフランク・ループも外力が加えられるとUnfaultした。Unfaultを生じさせ得る外力の大きさは、照射温度723Kのとき、$$<$$112$$>$$Unfault方向の剪断応力で、3.7MPa以上であることがわかった。Unfaultして生じた完全転位ループの成長速度は、フランク・ループのそれより3倍程度と大きかった。外力の加わっている試料中に於いては、これらの完全転位ループは、その大きさがある大きさを越えるまで成長すると、すべり運動をして拡がった。

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